图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 CMF20120D |
| 文档 |
SiC MOSFET Isolated Gate Driver |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 30 |
| FET 型 | SiCFET N-Channel, Silicon Carbide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 1200V (1.2kV) |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 33A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 110 mOhm @ 20A, 20V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 90.8nC @ 20V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1915pF @ 800V |
| 功率 - 最大 | 150W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 包装材料 | Tube |
| associated | SJEP120R100 SJEP120R063 SJDP120R085 SJDP120R045 SJEP120R100A SJEP120R063A More> |
CMF20120D也可以通过以下分类找到
CMF20120D相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家